公益社団法人 日本表面科学会

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第80回表面科学研究会 窒化ホウ素:電子デバイス材料としての課題と展望

主催

公益社団法人日本表面科学会

開催日

 2014年1月30日

締切日

2014年01月30日

会場

東京工業大学すずかけ台大学会館(すずかけホール) 集会室1

〒226-8503 横浜市緑区長津田町4259

TEL:045-924-5993 東急田園都市線 すずかけ台駅 下車徒歩5分

プログラム

13:00-  はじめに

13:05- 「六方晶窒化ホウ素単結晶の高圧合成と光機能」

谷口 尚(物質・材料研究機構)

13:45- 「立方晶窒化ホウ素膜のプラズマCVD合成と電気電子応用」

堤井 君元(九州大学大学院総合理工学研究院)

14:25- 「窒化ホウ素ナノチューブと窒化ホウ素グラフェンの合成と評価」

篠原 久典(名古屋大学大学院理学研究科)

(15:05―15:25 休憩)

15:25- 「h-BNの合成とグラフェンとの積層構造の作製」

日比野 浩樹(NTT物性科学基礎研究所)

16:05- 「単層h-BN、二層h-BN、および関連物質系の電子物性: 異種原子ドープと複合膜化による物性制御と物質設計」

斎藤 晋(東京工業大学大学院理工学研究科)

16:45- 「グラフェン/窒化ホウ素における量子輸送現象」

町田 友樹(東京大学生産技術研究所)

17:25-  閉会挨拶

参加定員

72名

費用

参加費(消費税含む、当日会場にて受付)

会員(協賛学協会等構成員含む)2000円、学生1000円、一般4000円

申込方法

終了しました

協賛

応用物理学会、日本物理学会、日本真空学会、東工大元素戦略研究センター、東工大応用セラミックス研究所附属セキュアマテリアル研究センター、東工大産学連携本部(依頼中含む)

備考

問い合わせ先

須崎 友文

東京工業大学応用セラミックス研究所

〒226-8503 横浜市緑区長津田町 4259-R3-36

TEL/FAX: 045-924-5360

e-mail: susaki@msl.titech.ac.jp

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